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型号 SPB21N10 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
SPB21N10 G PDF
代理商 SPB21N10 G
产品变化通告 Product Discontinuation 22/Feb/2008
标准包装 1,000
系列 SIPMOS®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 21A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 80 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 44µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 38.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 865pF @ 25V
功率 - 最大 90W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000102171
SPB21N10GXT
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